大家好，今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話題，就是關(guān)于機(jī)械設(shè)備安全隱患整改照片的問題，于是小編就整理了1個(gè)相關(guān)介紹機(jī)械設(shè)備安全隱患整改照片的解答，讓我們一起看看吧。

中芯國(guó)際與臺(tái)積電、三星（造芯）的差距只差一臺(tái)“光刻機(jī)”嗎？

中芯國(guó)際與臺(tái)積電、三星的技術(shù)實(shí)力差距，當(dāng)然不是只差一臺(tái)EUV（極紫外）光刻機(jī)。早在2018年，英特爾就向阿斯麥訂購(gòu)了3臺(tái)EUV光刻機(jī)，三星訂了6臺(tái)，臺(tái)積電則訂了10臺(tái)，結(jié)果臺(tái)積電在制程工藝上還是領(lǐng)先英特爾和三星一代，這就說(shuō)明EUV光刻機(jī)不是制約芯片廠制造技術(shù)進(jìn)步的唯一因素。

買到先進(jìn)的光刻機(jī)，只是具備了制造出先進(jìn)芯片的前提，好比土豪買了法拉利，還是需要嫻熟的駕駛技術(shù)的，這樣才能飆過(guò)別人。

中芯國(guó)際原創(chuàng)始人張汝京博士是有故事的傳奇人物。

光刻機(jī)有一個(gè)重要技術(shù)指標(biāo)“最高分辨率”（單位nm），這是指它在硅片上能刻出的最小尺寸的特征線寬，代表著光刻機(jī)的潛能。

芯片的制造工藝流程主要分為前道工藝和后道工藝，光刻機(jī)的工作位于前道工藝。前道工藝?yán)铮?00到400個(gè)子工序，而光刻機(jī)占其中的60%左右，處于最復(fù)雜最尖端的領(lǐng)域。

當(dāng)然，上圖只是芯片制造的流程，具體工藝紛繁復(fù)雜，晶圓運(yùn)進(jìn)芯片制造廠后，從晶圓洗凈開始，就正式進(jìn)入制造程序，整個(gè)制造工藝包括數(shù)百道工藝，詳見下圖。

由于各廠家有不同的工藝，而每一道工藝的細(xì)微差別，都會(huì)拉開差距。

原因不難理解，對(duì)芯片制造公司來(lái)說(shuō)，采用何種設(shè)備，以及具體的工藝流程，可以決定芯片的良率。

目前來(lái)講，在芯片制造行業(yè)，中國(guó)的領(lǐng)頭羊是中芯國(guó)際，排在它前面的就是臺(tái)積電和三星，不過(guò)三星不是一家單純晶圓代工廠，因此在芯片代工領(lǐng)域，最高端的玩家就中芯國(guó)際和臺(tái)積電兩家而已。

目前臺(tái)積電和三星是世界上唯二的兩家實(shí)現(xiàn)7nm制程芯片制造的廠商，無(wú)一例外的都采用了荷蘭阿斯麥公司(ASML)的極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），即我們常說(shuō)的EUV光刻機(jī)。中芯國(guó)際自己研發(fā)了N+1、N+1技術(shù)，不需要EUV的情況下實(shí)現(xiàn)了接近7nm制程的水平，是一個(gè)很大的進(jìn)步，但是比起臺(tái)積電和三星來(lái)講，除了光刻機(jī)以外，還有不小差距。

一直以來(lái)，中芯國(guó)際都是追趕者的角度，如果不是2017年10月份梁孟松的加入，中芯國(guó)際是絕無(wú)可能實(shí)現(xiàn)接近7nm制程工藝的N+1技術(shù)的。在梁孟松加入之前，中芯國(guó)際一直處于困獸狀態(tài)，14納米FinFET制程遲遲無(wú)法商用，良品率不到5%，梁孟松加入后，中芯國(guó)際就像坐上了火箭，短時(shí)間內(nèi)即實(shí)現(xiàn)了14納米FinFET制程的95%良品率。隨后，梁孟松又帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)繼續(xù)研發(fā)了接近7nm制程的N+1和N+2技術(shù)，預(yù)計(jì)2020年底可以商用。

芯片制造是個(gè)技術(shù)密集型行業(yè)，盡管有了突破，中芯國(guó)際在技術(shù)積累上仍然落后臺(tái)積電和三星一大截，前二者早就實(shí)現(xiàn)了7nm制程芯片的量產(chǎn)，據(jù)推算，臺(tái)積電在8月份會(huì)實(shí)現(xiàn)5nm制程的量產(chǎn)，2nm也已經(jīng)在積極研究中；自從美國(guó)的芯片代工龍頭格羅方德宣布退出14nm以下代工市場(chǎng)以后，其市場(chǎng)份額被三星吃去大部分，去年6月份三星宣布5nm制程工藝已經(jīng)可用。

因此，中芯國(guó)際雖然攻破了性能接近7nm制程的N+1技術(shù)，但是已經(jīng)落后三星和臺(tái)積電3年時(shí)間，另外兩家已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了5nm制程工藝，相當(dāng)于領(lǐng)先中芯國(guó)際1.5代-2代，所以中芯國(guó)際未來(lái)的路還很長(zhǎng)。

雖然中芯國(guó)際的N+1、N+2技術(shù)不需要ASML的EUV，但是后續(xù)5nm、2nm的研究仍然避不開，與臺(tái)積電和三星不同的是，中芯國(guó)際購(gòu)買EUV之路一直受到美國(guó)的干擾，本來(lái)荷蘭那邊已經(jīng)同意發(fā)貨，關(guān)鍵適合又被美國(guó)卡住，所以如果后續(xù)獲取不到EUV，中芯國(guó)際的下一代芯片制造工藝夢(mèng)恐怕要破碎。

另外一點(diǎn)是人才問題，自從中芯國(guó)際挖來(lái)了梁孟松之后，其研究進(jìn)展突飛猛進(jìn)，國(guó)內(nèi)有不少晶圓代工廠商都虎視眈眈。此外，臺(tái)積電和三星有大量的專利授權(quán)，形成了比較厚的專業(yè)壁壘，中芯國(guó)際與臺(tái)積電進(jìn)行的兩次訴訟都以失利告終，目前臺(tái)積電擁有中芯國(guó)際10%的股份，所以恐怕臺(tái)積電會(huì)一直壓著中芯國(guó)際一頭。

您好，很高興回答您的問題。

中芯國(guó)際是少數(shù)可以代表中國(guó)科技的“重器”企業(yè)之一，不過(guò)與國(guó)際芯片巨頭相比，中芯國(guó)際仍位居中間梯隊(duì)的晶圓代工陣營(yíng)。

全球芯片領(lǐng)域陣營(yíng)劃分

第一梯隊(duì)就是擁有先進(jìn)制程的臺(tái)積電、Inter、Samsung的超級(jí)陣營(yíng)，中間梯隊(duì)是有仍處于摸索自主芯片道路的中芯國(guó)際、Global Foundried等，第三梯隊(duì)主要由華虹半導(dǎo)體、力晶等組成。

中芯國(guó)際和第一梯隊(duì)的差距

中芯國(guó)際在自主道路上摸索長(zhǎng)達(dá)18年之久，但還是沒有擠進(jìn)第一梯隊(duì)，為什么？因?yàn)槲覈?guó)芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝的產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)水平仍舊是短板，能否自強(qiáng)，需要眾多領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)共同努力，突破。當(dāng)前中芯國(guó)際在14nm、7nm等工藝制程上的突破尚需時(shí)日，題主所說(shuō)只差一臺(tái)“光刻機(jī)”這個(gè)說(shuō)法太籠統(tǒng)。中芯國(guó)際與他們?cè)谥瞥虪I(yíng)收上存在明顯的滯后，目前150/180nm是中芯國(guó)際的主要營(yíng)收，28nm以下營(yíng)收比例較低，而臺(tái)積電各制程營(yíng)收比例相對(duì)穩(wěn)定，每2-3年就有新一代制程實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，說(shuō)明臺(tái)積電對(duì)產(chǎn)品生命周期把控能力較強(qiáng)，良品率和產(chǎn)能控制也做得相當(dāng)好。研發(fā)費(fèi)用上也存在明顯的差異，中芯國(guó)際的研發(fā)費(fèi)用遠(yuǎn)低于臺(tái)積電。

總結(jié)

中芯國(guó)際，在制程上明顯落后第一梯隊(duì)，營(yíng)收結(jié)構(gòu)單一，制程更新速度比第一梯隊(duì)要慢，研發(fā)費(fèi)用上也比第一梯隊(duì)要少。差距不僅僅是光刻機(jī)，還有研發(fā)管理，成本投入，產(chǎn)能，良品率等諸多方面的差距。國(guó)產(chǎn)芯片要追上第一梯隊(duì)，難度很高，需要付出很高的代價(jià)，需要的是長(zhǎng)期艱苦奮斗。

以上，感謝您的閱讀。

中芯國(guó)際和臺(tái)積電的差距已經(jīng)不是單單一個(gè)光刻機(jī)這么簡(jiǎn)單的事情，屬于整體行業(yè)技術(shù)的差距，也是短時(shí)間內(nèi)無(wú)法趕上的技術(shù)壁壘，而且現(xiàn)在中芯國(guó)際的核心團(tuán)隊(duì)還是以前在臺(tái)積電，三星工作的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，大陸在這方面技術(shù)人員以及基礎(chǔ)還是相對(duì)薄弱，而且光刻機(jī)制造技術(shù)需要幾萬(wàn)個(gè)文件，曾經(jīng)有中國(guó)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)去參觀荷蘭ASML廠區(qū)，有技術(shù)人員感嘆就是把所有的圖紙都拿到未必能制造出來(lái)，可見工藝的復(fù)雜性。

現(xiàn)在的ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域幾乎是統(tǒng)治性的存在，而且基本上一半的機(jī)器都出售給了大廠，而且能夠在ASML拿到產(chǎn)品的廠家?guī)缀醵际枪蓶|的身份，現(xiàn)在光刻機(jī)領(lǐng)域不僅僅是資金問題，中芯國(guó)際曾經(jīng)訂了一臺(tái)7納米的光刻機(jī)到現(xiàn)在因?yàn)楦鞣N原因到現(xiàn)在也沒有交付，而且即使交付了也很難在短時(shí)間內(nèi)完成突破，所以中芯國(guó)際芯片的制造技術(shù)現(xiàn)在創(chuàng)新性的使用N+1技術(shù)，在2019年14納米的技術(shù)已經(jīng)開始量產(chǎn)，目前在產(chǎn)能上還是受到很大的制約，隨著技術(shù)能力的提升產(chǎn)能也會(huì)慢慢變得充裕，不管不怎么講也是中國(guó)芯片制造技術(shù)中值得驕傲的一件事情。

網(wǎng)絡(luò)上已經(jīng)有人傳出一種觀點(diǎn)，美國(guó)可能針對(duì)華為的芯片制造方面開始卡脖子，這是釜底抽薪的做法，如果觸及到這種層面可能中美貿(mào)易對(duì)戰(zhàn)將會(huì)進(jìn)入一個(gè)新的層級(jí)，國(guó)家也將會(huì)采取一定的措施，而且一旦進(jìn)入這個(gè)層面就是一種經(jīng)濟(jì)上的災(zāi)難，可以想象如果蘋果手機(jī)不能在中國(guó)銷售類似這樣的措施，對(duì)于全球經(jīng)濟(jì)的發(fā)展也是一種嚴(yán)重的挑戰(zhàn)。作為以商人思維行事的美國(guó)人也不愿意把事情弄得如此的僵硬，所以對(duì)于華為公司的打壓主要是抑制，不至于打死的境界。

之所以像華為這種企業(yè)在國(guó)際上受到如此打的質(zhì)疑，而且還出現(xiàn)倍卡脖子的現(xiàn)象，關(guān)鍵的原因在于國(guó)內(nèi)很多科技基礎(chǔ)不牢固，如果主流的產(chǎn)業(yè)已經(jīng)被中國(guó)突破，對(duì)于中國(guó)企業(yè)的限制性也將會(huì)極大的降低，所以打鐵還得自身硬，中國(guó)整個(gè)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在努力變強(qiáng)大，但是歐美的很多國(guó)家不愿意看到中國(guó)一天天的變得強(qiáng)大，所以在輿論的宣傳上以及在內(nèi)心上對(duì)于中國(guó)的實(shí)際發(fā)展情況視而不見，從這次疫情上就可以看出端倪，很多國(guó)家對(duì)于中國(guó)的認(rèn)知還停留在上個(gè)世紀(jì)的層面。

所以中國(guó)的芯片制造產(chǎn)業(yè)距離國(guó)際化還有很長(zhǎng)的路子要走，想要改變這種現(xiàn)狀除了積極的培養(yǎng)相關(guān)的人才，還是繼續(xù)加大在教育產(chǎn)業(yè)上的投入，只要人才到位了什么技術(shù)難關(guān)也都能搞定，雖然已經(jīng)取得了很大的成績(jī)，但是距離真正在世界認(rèn)可的程度還是有很長(zhǎng)的距離要走，特別是在光刻機(jī)制造領(lǐng)域還是很長(zhǎng)的路線要走，只要意志堅(jiān)定時(shí)間長(zhǎng)了總能完成突破，希望能幫到你。

到此，以上就是小編對(duì)于機(jī)械設(shè)備安全隱患整改照片的問題就介紹到這了，希望介紹關(guān)于機(jī)械設(shè)備安全隱患整改照片的1點(diǎn)解答對(duì)大家有用。